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VSI6X制砂机
进料粒度: 0-60mm
产量: 109-839t/h
CS弹簧圆锥破碎机
进料粒度: 0-370mm
产量: 45-780t/h
CI5X系列反击式破碎机
进料粒度: 0-1300mm
产量: 150-2000t/h
GF系列给料机
进料粒度: 0-1500mm
产量: 400-2400t/h
HGT旋回式破碎机
进料粒度: 0-1570mm
产量: 2015-8895t/h
HPT液压圆锥破碎机
进料粒度: 0-350mm
产量: 0-350mmt/h
HST液压圆锥破碎机
进料粒度: 0-560mm
产量: 45-2130t/h
C6X系列颚式破碎机
进料粒度: 0-1200mm
产量: 80-1510t/h
NK系列移动站
进料粒度: 0-680mm
产量: 100-500t/h
MK系列破碎筛分站
进料粒度: 0-900mm
产量: 100-500t/h
S5X系列圆振动筛
进料粒度: 0-300mm
产量: 45-2250t/h
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VSI6X制砂机
进料粒度: 0-60mm
产量: 109-839t/h
CS弹簧圆锥破碎机
进料粒度: 0-370mm
产量: 45-780t/h
CI5X系列反击式破碎机
进料粒度: 0-1300mm
产量: 150-2000t/h
HGT旋回式破碎机
进料粒度: 0-1570mm
产量: 2015-8895t/h
HPT液压圆锥破碎机
进料粒度: 0-350mm
产量: 0-350mmt/h
HST液压圆锥破碎机
进料粒度: 0-560mm
产量: 45-2130t/h
C6X系列颚式破碎机
进料粒度: 0-1200mm
产量: 80-1510t/h
S5X系列圆振动筛
进料粒度: 0-300mm
产量: 45-2250t/h
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NK系列移动站
进料粒度: 0-680mm
产量: 100-500t/h
MK系列破碎筛分站
进料粒度: 0-900mm
产量: 100-500t/h
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GF系列给料机
进料粒度: 0-1500mm
产量: 400-2400t/h
S5X系列圆振动筛
进料粒度: 0-300mm
产量: 45-2250t/h
disco研磨机磨轮测高原理
减薄精加工研削研削解决方案DISCO
虽然通过采用Poligrind磨轮进行研削加工,可提高减薄精加工的加工质量。.但由于使用的是磨轮,所以在晶片表面仍然会残留下细微的破碎层。.为了去除表面残留的破碎层,进一步提高芯片的抗折强度,迪思科公司还可以
DGP8761拋光机产品信息DISCOCorporation
提高加工稳定性,实现更高的生产效率.DGP8761是全球销售业绩突出的DGP8760的改良机型。.通过背面研削到去除应力的一体化,可以稳定地实施厚度在25μm以下的薄型化加
DISCOCorporation产品・技术信息
表面平坦机是使用金刚石刨刀,实现对加工物的高精度平坦化的设备。适用于铜、锡焊料等延展性材料或树脂等材质的加工研削磨轮,将其安装在研削机上,对以硅晶片为首的
DFG8560研削机产品信息DISCOCorporation
维持与800系列的兼容性,可以使用800系列机相同的研削磨轮,磨轮修整板,主轴以及工作台。操作简便配置了触摸式液晶显示器及GUI(GraphicalUserInterface),提高了操
追求更高效率的300mmDISCOHITECCHINA
追求更高效率的300mm研磨拋光机提高加工稳定性,实现更高产能效率DGP8761是全球销售业绩突出的DGP8760的改良机型。本机型实现了背面研磨到去除
硅片背面减薄技术研究知乎
3结论硅片背面机械研磨减薄是一种物理损伤工艺,减薄会在硅片表面引入机械损伤。文中对比分析了粗磨、精磨、抛光和湿法腐蚀工艺后硅片表面与截面形貌,
产品信息研削机DISCOHITECCHINA
Grinder.可对硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度研削的装置。.通过与抛光机或晶片框架粘贴机的连接,也可对应使用DBG系统和DAF(DieAttachFilm)的相关应用技术
晶圆背面研磨(BackGrinding)决定晶圆的厚度,晶圆研磨,国瑞升
背面研磨(BackGrinding)决定晶圆的厚度.经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨(BackGrinding)开始后端处理。.背面研磨是将晶圆背面磨
GF01研削磨轮产品信息DISCOCorporation
迪思科公司最新开发出面向纵向切入式研削机的GF01磨轮系列。.通过采用本公司独创的新金属磨轮圈,与原有IF系列产品相比较,能够高效率地向加工部位供给研削水。.从而获得稳定的研削性及最佳磨轮使用寿命。.通过
硅片背面减薄技术研究知乎
3结论硅片背面机械研磨减薄是一种物理损伤工艺,减薄会在硅片表面引入机械损伤。文中对比分析了粗磨、精磨、抛光和湿法腐蚀工艺后硅片表面与截面形貌,并且测试了硅片厚度、粗糙度和翘曲度,结合理论分析,得到结论如下:机械研磨减薄工艺中硅片表面形貌和损伤层厚度和研磨减薄砂轮
半导体工艺晶圆减薄工艺知乎
图4、双面磨削原理示意图[1]表1所示为上述三种单晶硅片的磨削与双面研磨的对比。双面研磨主要应用于200mm以下硅片加工,具有较高的出片率。由于采用固结磨料砂轮,单晶硅片的磨削加工能够获得远高于双面研磨后的硅片表面质量,因此硅片旋转磨削和双面磨削都能够满足主流300mm硅片的加工
DISCO|鲜被提及的半导体设备巨头面包板社区
DISCO是一家日本公司,其核心竞争力是将制造的半导体硅片研磨成更薄的硅片,然后将其切割成die,然后组装成电子产品。.他们的公司座右铭是Kiru,Kezuru,Migaku,意思是切割、研磨和抛光。.DISCO在晶圆研磨机、砂轮、晶圆切割锯、激光锯和表面平坦化的生产中
双面研磨机与单面研磨机原理区别知乎
双面研磨机与单面研磨机工作原理区别不同之处!单面研磨机的工作原理:将被磨、抛材料放于研磨盘上,研磨盘逆时钟转动,修正轮带动工件自转,重力加压的方式对工件施压,工件与研磨盘作相对运
晶片减薄设备技术研究豆丁网
按照硬脆材料塑性加工的原理要求,磨轮进给系统必须具有较低的进给速度(极限低速为lum/min),是实现硬脆材料塑性加工的基本条件。减薄机作为生产设备,为了提高减薄工艺的效率,减薄机进给系统在满足低速进给的前提下,尽可能实现
晶圆背面研磨(BackGrinding)决定晶圆的厚度,晶圆研磨,国瑞升
背面研磨(BackGrinding)决定晶圆的厚度.经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨(BackGrinding)开始后端处理。.背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序,其目的不仅是为了减少晶圆厚度,还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间出
晶圆减薄工艺与基本原理面包板社区
晶圆减薄工艺与基本原理.直径150mm(6寸)和200mm(8寸)的晶圆厚度分别为625um和725um,而直径为300mm硅片平均厚度达到775um。.在晶圆中总厚度90%以上的衬底材料是为了保证晶圆在制造,测试和运送过程中有足够的强度。.晶圆减薄工艺的作用是对已完成功能的
华创证券:中国大陆晶圆厂快速发展国内切磨抛设备材料国产
智通财经APP获悉,华创证券发布研究报告称,相比日本DISCO,我国厂商起步较晚,现阶段在半导体切、磨、抛设备材料市场份额极低,近些年正逐步通过内生外延式发展不断积累技术经验,对标国际龙头奋起直追。.随着中国大陆晶圆厂的快速发展及供应链
消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法与流程
今天.本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法。背景技术.在后段制程阶段,晶圆(正面已布好电路的硅片)在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄加工以降低封装贴装高度,减小芯片封装体积,改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及
产品信息DISCOHITECCHINA
DISCOHITECCHINACO.,LTD是株式会社迪思科在中国的现地法人。.以上海分公司为中心,据点遍布苏州、深圳、天津、成都等11个城市,以对应并满足中国各地的客户对于精密加工的需求。.
DISCO|鲜被提及的半导体设备巨头面包板社区
DISCO是一家日本公司,其核心竞争力是将制造的半导体硅片研磨成更薄的硅片,然后将其切割成die,然后组装成电子产品。.他们的公司座右铭是Kiru,Kezuru,Migaku,意思是切割、研磨和抛光。.DISCO在晶圆研磨机、砂轮、晶圆切割锯、激光锯和表面平坦化的生产中
DISCO:一家少被提及的半导体设备巨头,硅片,刀片,研磨机
DISCO:世界级封测设备巨头DISCO是一家日本公司,其核心竞争力是将制造的半导体硅片研磨成更薄的硅片,然后将其切割成die,然后组装成电子产品。他们的公司座右铭是Kiru,Kezuru,Migaku,意思是切割、研磨和抛光。DISCO在晶圆研磨机、砂轮
论文】高精密研磨机设计豆丁网
本课题主要对高精密研磨机进行了的设计计算,首先,分析其加工的整个过程,研究工作原理;其次,设计计算部分主要是电机的选型和轴承的选择的设计计算,最后用UGNX三维软件对研磨机整体机构进行三维建模。.高精密研磨机设计第二章总体方案的设
苏州恩正科电子有限公司
苏州恩正科电子有限公司位于苏州市工业园区,专注于半导体磨片机、划片机及周边设备的技术型企业。.公司自成立以来,就秉持以客户为先导,致力于为客户优化投资成本及提供配套产品的解决方案。.为客户提供较佳的生产方案,为客户提供适配的磨轮、
晶圆研磨制程可简介.ppt原创力文档
Page(3)of(20)什么是晶圆研磨?.因此后工序企业拿到的晶圆,有时候是没法直接使用的,有时是因为尺寸要求,比如生产表面贴装器件,器件本身的厚度就很小;还有的就是一些功率器件,如果晶圆太厚会造成散热不良,所以必须将晶圆的厚度控制在能都接
华创证券:中国大陆晶圆厂快速发展国内切磨抛设备材料国产
智通财经APP获悉,华创证券发布研究报告称,相比日本DISCO,我国厂商起步较晚,现阶段在半导体切、磨、抛设备材料市场份额极低,近些年正逐步通过内生外延式发展不断积累技术经验,对标国际龙头奋起直追。.随着中国大陆晶圆厂的快速发展及供应链
TSK设备产品中心苏州斯尔特微电子有限公司
地址:苏州市高新区通安镇华金路225号8号厂房电话:+86)051269370370传真:+86)051269370369邮箱:[email protected]
消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法与流程
今天.本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法。背景技术.在后段制程阶段,晶圆(正面已布好电路的硅片)在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄加工以降低封装贴装高度,减小芯片封装体积,改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及
无心磨主要加工什么抖音
超越台湾机型的正佳高精密CNC数控无心磨,国产无心磨的天花板。双静压主轴,CNC四轴0.1um微进刀,研磨精度小数点后4位,主轴和磨削液双恒温。应用于模具行业,连接器行业,光学行业,锂电行业,航空航天军工等精密加工领域。